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中杰盛科技有限公司
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产品信息
产品种类: MOSFET
制造商: Infineon
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 99 A
Rds On-漏源导通电阻: 6.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 16 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 33 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: + 175 C
封装: Reel
通道模式: Enhancement
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 69 ns
正向跨导 - 值: 31 S
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
Pd-功率耗散: 143 W
上升时间: 216 ns
工厂包装数量: 2000
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 43 ns
典型接通延迟时间: 45 ns
宽度: 6.22 mm
单位重量: 4 g
制造商: Infineon
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 99 A
Rds On-漏源导通电阻: 6.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 16 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 33 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: + 175 C
封装: Reel
通道模式: Enhancement
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 69 ns
正向跨导 - 值: 31 S
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
Pd-功率耗散: 143 W
上升时间: 216 ns
工厂包装数量: 2000
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 43 ns
典型接通延迟时间: 45 ns
宽度: 6.22 mm
单位重量: 4 g