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中杰盛科技有限公司
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产品信息
产品种类: MOSFET
制造商: Nexperia
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: LFPAK56-5
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 66 A
Rds On-漏源导通电阻: 6.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.83 V
Qg-栅极电荷: 13.7 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: + 175 C
封装: Reel
通道模式: Enhancement
商标: Nexperia
配置: Single
下降时间: 10.9 ns
Pd-功率耗散: 47 W
上升时间: 16.2 ns
工厂包装数量: 1500
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 10.5 ns
典型接通延迟时间: 9 ns
制造商: Nexperia
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: LFPAK56-5
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 66 A
Rds On-漏源导通电阻: 6.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.83 V
Qg-栅极电荷: 13.7 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: + 175 C
封装: Reel
通道模式: Enhancement
商标: Nexperia
配置: Single
下降时间: 10.9 ns
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上升时间: 16.2 ns
工厂包装数量: 1500
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 10.5 ns
典型接通延迟时间: 9 ns