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Infineon 600V 和 1200V TRENCHSTOP IGBT
发布时间： 2017/6/14 19:45:18 | 425 次阅读
Infineon 600V 和 1200V TRENCHSTOP™ IGBT 结合了沟槽顶部单元和场终止概念，因此可提高静态和动态性能。 IGBT 和软恢复发射极控制二极管的组合进一步降低了导通损耗。 开关和传导损耗之间的折衷可获得高效率。
新型 600V TRENCHSTOP 高性能 IGBT 是一款新型高效率 IGBT，具有传导和关断能量功能。 IGBT 还具有优异的稳健性和出色的 EMI 特性。 600V IGBT 可在所有 30kHz 功率转换应用中实现更高的效率。
特性
较好性能：较低开关损耗、较低二极管恢复损耗
低速 dV/dt 开关 (<5V/ns)，易于设计
5us SC 评级
低电磁干扰
成本竞争力