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Infineon TRENCHSTOP™ 5 IGBT
发布时间： 2017/6/14 20:02:45 | 685 次阅读
Infineon TRENCHSTOP™ 5 IGBT是下一代薄晶圆 IGBT (绝缘栅双极型晶体管)，传导和开关损耗与目前其他先进的 IGBT 相比大幅降低。TRENCHSTOP 5 设计用于开关频率超过 10kHz 的应用。晶圆厚度缩小了 25% 以上，实现了开关和传导损耗的大幅降低，同时具有 650V 的击穿电压。效率的大幅跃升为设计人员创造了新的探索机遇。
TRENCHSTOP 5 产品特色
650V 击穿电压
与 Infineon 一流的 "HighSpeed 3" 系列相比
Qg系数降低了2.5倍
开关损耗降低了2倍
VCE(sat) 减少了200mV
应用
PFC + PWM拓扑结构：
焊接
UPS
太阳能
S5产品特色
同类产品中容易使用的IGBT
25°C时，低VCE(sat)为1.35V
软电流下降特性，无尾电流，低EMI
可帮助用户降低电路复杂性 - 单一RG、无齐纳二极管、无闸极电容、无缓冲电容
PFC效率 - 低压线路VIN = 115V
( 升压二极管 = Ultrafast Si 15A，除非另外指定)
