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中杰盛科技有限公司
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供应IXBT6N170
发布时间： 2017/9/25 12:12:48 | 375 次阅读
制造商: IXYS
RoHS: 详细信息
封装 / 箱体: TO-268-3
安装风格: SMD/SMT
配置: Single
集电极—发射极电压 VCEO: 1.7 kV
集电极—射极饱和电压: 2.84 V
栅极/发射极电压: +/- 20 V
在25 C的连续集电极电流: 12 A
Pd-功率耗散: 75 W
工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
系列: IXBT6N170
封装: Tube
商标: IXYS
集电极连续电流: 12 A
集电极连续电流 Ic: 36 A
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
高度: 5.1 mm
长度: 16.05 mm
工作温度范围: - 55 C to + 150 C
工厂包装数量: 30
技术: Si
商标名: BIMOSFET
宽度: 14 mm
单位重量: 4.500 g