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RF晶体管 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLF7G22LS-130,112
发布时间： 2018/5/4 12:28:11 | 274 次阅读
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 详细信息
晶体管极性: N-Channel
Id-连续漏极电流: 28 A
Vds-漏源极击穿电压: 65 V
Rds On-漏源导通电阻: 160 mOhms
技术: Si
增益: 18.5 dB
输出功率: 33 W
工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-539B-3
封装: Tube
配置: Single
工作频率: 2 GHz to 2.2 GHz
类型: RF Power MOSFET
商标: NXP Semiconductors
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 60
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: 13 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.8 V