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晶体管 MOSFET IXTX90N25L2
发布时间： 2018/5/4 12:35:20 | 332 次阅读
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: PLUS-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 250 V
Id-连续漏极电流: 90 A
Rds On-漏源导通电阻: 33 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 4.5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 640 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 960 W
通道模式: Enhancement
商标名: LinearL2
封装: Tube
高度: 21.34 mm
长度: 16.13 mm
系列: IXTX90N25
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: LinearL2 Power MOSFET
宽度: 5.21 mm
商标: IXYS
正向跨导 - 值: 35 S
下降时间: 160 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 175 ns
工厂包装数量: 30
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 40 ns
典型接通延迟时间: 50 ns
单位重量: 1.600 g