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供应：射频晶体管 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50H-TF3
发布时间： 2018/6/15 16:10:15 | 302 次阅读
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 详细信息
晶体管极性: Dual N-Channel
Id-连续漏极电流: 36 A
Vds-漏源极击穿电压: 135 V
技术: Si
增益: 23.7 dB
输出功率: 1500 W
工作温度: - 40 C
工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: NI-1230H-4S
资格: AEC-Q100
工作频率: 1.8 MHz to 500 MHz
系列: MRF1K50H
类型: RF Power MOSFET
商标: NXP / Freescale
正向跨导 - 值: 33.5 S
通道数量: 2 Channel
Pd-功率耗散: 1667 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 1
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: - 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.7 V
单位重量: 613 g
