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IAUC120N04S6N009
发布时间： 2023/3/14 14:26:37 | 81 次阅读
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 环保
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TDSON-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 120 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.1 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.2 V
Qg-栅极电荷: 115 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 150 W
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 11 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 6 ns
包装数量：5000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 22 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
零件号别名: IAUC120N04S6N009 SP001688678
单位重量: 117.580 mg
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