制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 90 A
Rds On-漏源导通电阻: 4.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 118 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 125 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
商标名: OptiMOS
系列: OptiMOS-P2
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 14 ns
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 8 ns
包装数量：2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 7 ns
典型接通延迟时间: 3 ns
宽度: 6.22 mm
零件号别名: IPD9P4P45XT SP000671164 IPD90P04P405ATMA1
单位重量: 330 mg