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SI4154DY-T1-GE3
发布时间： 2023/3/2 17:57:20 | 113 次阅读
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 环保
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 36 A
Rds On-漏源导通电阻: 3.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Qg-栅极电荷: 105 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 7.8 W
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET
系列: SI4
l商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
高度: 1.75 mm
长度: 4.9 mm
产品类型: MOSFET
包装数量：2500
子类别: MOSFETs
宽度: 3.9 mm
零件号别名: SI4154DY-GE3
单位重量: 187 mg
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