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SIR871DP-T1-GE3
发布时间： 2023/3/22 20:15:30 | 65 次阅读
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 环保
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerPAK-SO-8
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 48 A
Rds On-漏源导通电阻: 28 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
Qg-栅极电荷: 90 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 69 W
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET, PowerPAK
系列: SIR
商标: Vishay / Siliconix
配置: Single
高度: 1.04 mm
长度: 6.15 mm
产品类型: MOSFET
包装数量：3000
子类别: MOSFETs
宽度: 5.15 mm
单位重量: 506.600 mg
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