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NTD24N06LT4G
发布时间： 2023/4/21 8:28:32 | 102 次阅读
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 环保
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 24 A
Rds On-漏源导通电阻: 45 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 5 V, + 5 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Qg-栅极电荷: 16 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 62.5 W
通道模式: Enhancement
系列: NTD24N06L
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 52 ns
正向跨导 - 小值: 19 S
高度: 2.38 mm
长度: 6.73 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 97 ns
包装数量：2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 23 ns
典型接通延迟时间: 9.4 ns
宽度: 6.22 mm
单位重量: 330 mg