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SI2309CDS-T1-GE3
发布时间： 2023/4/7 17:10:49 | 91 次阅读
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 环保
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 1.6 A
Rds On-漏源导通电阻: 345 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 2.7 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.7 W
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET
系列: SI2
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降时间: 10 ns
高度: 1.45 mm
长度: 2.9 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 10 ns
包装数量：3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 15 ns
典型接通延迟时间: 5 ns
宽度: 1.6 mm
零件号别名: SI2309CDS-T1-BE3 SI2309CDS-GE3
单位重量: 8 mg
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