制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 环保
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 80 V
Id-连续漏极电流: 73 A
Rds On-漏源导通电阻: 7.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 35 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 100 W
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
系列: OptiMOS 3
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 5 ns
正向跨导 - 小值: 30 S
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 30 ns
包装数量：2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 23 ns
典型接通延迟时间: 13 ns
宽度: 6.22 mm
零件号别名: IPD096N08N3 G SP001127826
单位重量: 330 mg