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IPD30N10S3L-34
发布时间： 2023/5/4 9:03:06 | 82 次阅读
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 环保
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 30 A
Rds On-漏源导通电阻: 31 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
Qg-栅极电荷: 24 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 57 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
商标名: OptiMOS
系列: OptiMOS-T
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 3 ns
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 4 ns
包装数量：2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 18 ns
典型接通延迟时间: 6 ns
宽度: 6.22 mm
零件号别名: SP000261248 IPD3N1S3L34XT IPD30N10S3L34ATMA1
单位重量: 330 mg
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