制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 环保
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 55 V
Id-连续漏极电流: 4.7 A
Rds On-漏源导通电阻: 56 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Qg-栅极电荷: 24 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2 W
通道模式: Enhancement
商标: Infineon Technologies
配置: Dual
下降时间: 13 ns
正向跨导 - 小值: 7.9 S
高度: 1.75 mm
长度: 4.9 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 3.2 ns
包装数量：4000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 2 N-Channel
典型关闭延迟时间: 32 ns
典型接通延迟时间: 8.3 ns
宽度: 3.9 mm
零件号别名: IRF7341TRPBF SP001554204
单位重量: 540 mg