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询价相关产品
产品信息
产品种类: MOSFET
制造商: Infineon
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 47 A
Rds On-漏源导通电阻: 70 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
封装: Tube
通道模式: Enhancement
商标名: CoolMOS
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 8 ns
高度: 21.1 mm
长度: 16.13 mm
Pd-功率耗散: 415 W
上升时间: 27 ns
系列: CoolMOS C3
工厂包装数量: 240
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 111 ns
典型接通延迟时间: 18 ns
宽度: 5.21 mm
零件号别名: SP SPW47N60C3FKSA1 SPW47N60C3XK
单位重量: 38 g
制造商: Infineon
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 47 A
Rds On-漏源导通电阻: 70 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
封装: Tube
通道模式: Enhancement
商标名: CoolMOS
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 8 ns
高度: 21.1 mm
长度: 16.13 mm
Pd-功率耗散: 415 W
上升时间: 27 ns
系列: CoolMOS C3
工厂包装数量: 240
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 111 ns
典型接通延迟时间: 18 ns
宽度: 5.21 mm
零件号别名: SP SPW47N60C3FKSA1 SPW47N60C3XK
单位重量: 38 g