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询价相关产品
产品信息
产品种类: IGBT 晶体管
制造商: ON Semiconductor
RoHS: 详细信息
封装 / 箱体: TO-247-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.5 V
栅极/发射极电压: +/- 20 V
在25 C的连续集电极电流: 63 A
Pd-功率耗散: 208 W
工作温度: - 40 C
工作温度: + 150 C
系列: HGTG30N60C3D
封装: Tube
商标: ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流: 63 A
集电极连续电流 Ic: 63 A
栅极—射极漏泄电流: +/- 100 nA
高度: 20.82 mm
长度: 15.87 mm
工厂包装数量: 30
技术: Si
宽度: 4.82 mm
零件号别名: HGTG30N60C3D_NL
单位重量: 6.390 g
制造商: ON Semiconductor
RoHS: 详细信息
封装 / 箱体: TO-247-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.5 V
栅极/发射极电压: +/- 20 V
在25 C的连续集电极电流: 63 A
Pd-功率耗散: 208 W
工作温度: - 40 C
工作温度: + 150 C
系列: HGTG30N60C3D
封装: Tube
商标: ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流: 63 A
集电极连续电流 Ic: 63 A
栅极—射极漏泄电流: +/- 100 nA
高度: 20.82 mm
长度: 15.87 mm
工厂包装数量: 30
技术: Si
宽度: 4.82 mm
零件号别名: HGTG30N60C3D_NL
单位重量: 6.390 g