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询价相关产品
产品信息
产品种类: MOSFET
制造商: Infineon
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SO-8
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 6.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 46 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 22 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
配置: Dual
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: Infineon / IR
下降时间: 17 ns
高度: 1.75 mm
长度: 4.9 mm
Pd-功率耗散: 2 W
上升时间: 8.9 ns
工厂包装数量: 3800
晶体管类型: 2 N-Channel
类型: Power MOSFET
典型关闭延迟时间: 26 ns
典型接通延迟时间: 8.1 ns
宽度: 3.9 mm
单位重量: 540 mg
制造商: Infineon
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SO-8
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 6.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 46 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 22 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
配置: Dual
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: Infineon / IR
下降时间: 17 ns
高度: 1.75 mm
长度: 4.9 mm
Pd-功率耗散: 2 W
上升时间: 8.9 ns
工厂包装数量: 3800
晶体管类型: 2 N-Channel
类型: Power MOSFET
典型关闭延迟时间: 26 ns
典型接通延迟时间: 8.1 ns
宽度: 3.9 mm
单位重量: 540 mg