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产品信息
制造商: Qorvo
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS: 详细信息
晶体管类型: HEMT
技术: GaN SiC
增益: 20 dB
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 50 V
Vgs-栅源极击穿电压 : 145 V
Id-连续漏极电流: 2.5 A
输出功率: 70 W
工作温度: - 40 C
工作温度: + 85 C
Pd-功率耗散: 64 W
安装风格: Screw
封装 / 箱体: NI-360
封装: Tray
配置: Single
工作频率: 3.7 GHz
工作温度范围: - 40 C to + 85 C
系列: QPD
商标: Qorvo
开发套件: QPD1015LPCB401
产品类型: RF JFET Transistors
工厂包装数量: 25
子类别: Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压: - 2.8 V