中杰盛科技有限公司

7年

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供应:晶体管  IGBT 模块 FF450R12ME4
供应:晶体管  IGBT 模块 FF450R12ME4
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供应:晶体管 IGBT 模块 FF450R12ME4

制造商:

Infineon

小工作温度:

- 40 C

大工作温度:

+ 150 C

配置:

Dual

产品信息

深圳市中杰盛科技优势供应: FF450R12ME4: FF450R12ME4 FF450R12ME4

制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 环保
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 1.75 V
在25 C的连续集电极电流: 675 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 2250 W
小工作温度: - 40 C
大工作温度: + 150 C
商标: Infineon Technologies
栅极/发射极大电压: 20 V
安装风格: Chassis Mount
产品类型: IGBT Modules
系列: Trenchstop IGBT4 - E4
包装数量:10
子类别: IGBTs
技术: Si
商标名: TRENCHSTOP EconoDUAL
零件号别名: SP000389732 FF450R12ME4BOSA1
单位重量: 345 g