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晶体管 - FET,MOSFET - 单个 > IXFH34N65X2

发布时间: 2020/9/18 11:04:31 | 261 次阅读

制造商:IXYS 

规格

FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 650V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 34A(Tc)
驱动电压( Rds On, Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值) 105 毫欧 @ 17A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(值) 5.5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值) 56nC @ 10V
Vgs(值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值) 3330pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(值) 540W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247