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晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 > IXXH75N60B3D1

发布时间： 2020/9/18 11:06:18 | 333 次阅读

制造商：IXYS

规格

IGBT 类型	PT
电压 - 集射极击穿（值）	600V
电流 - 集电极 (Ic)（值）	160A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)	300A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（值）	1.85V @ 15V，60A
功率 - 值	750W
开关能量	1.7mJ（开），1.5mJ（关）
输入类型	标准
栅极电荷	107nC
25°C 时 Td（开/关）值	35ns/118ns
测试条件	400V，60A，5 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)	25ns
工作温度	-
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-247-3
供应商器件封装	TO-247（IXXH）

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