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产品信息
公司优势供应：IXTH6N150：IXTH6N150
制造商: IXYS
产品种类: MOSFETRoHS: 环保
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 6 A
Rds On-漏源导通电阻: 3.5 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 5 V
Qg-栅极电荷: 67 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 540 W
通道模式: Enhancement
系列: IXTH6N150
商标: IXYS
配置: Single
下降时间: 38 ns
正向跨导 - 小值: 6.5 mS
产品: Power MOSFETs
产品类型: MOSFET
上升时间: 20 ns
包装数量：30
子类别: MOSFETs
类型: High Voltage Power MOSFET
典型关闭延迟时间: 50 ns
典型接通延迟时间: 22 ns
单位重量: 6 g