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中杰盛科技有限公司
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产品信息
产品种类: IGBT 晶体管
制造商: STMicroelectronics
RoHS: 详细信息
封装 / 箱体: TO-220-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极电压 VCEO: 600 V
栅极/发射极电压: +/- 20 V
Pd-功率耗散: 125 W
工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
系列: 600-650V IGBTs
封装: Tube
商标: STMicroelectronics
集电极连续电流 Ic: 35 A
高度: 9.15 mm
长度: 10.4 mm
工厂包装数量: 1000
技术: Si
宽度: 4.6 mm
单位重量: 6 g
制造商: STMicroelectronics
RoHS: 详细信息
封装 / 箱体: TO-220-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极电压 VCEO: 600 V
栅极/发射极电压: +/- 20 V
Pd-功率耗散: 125 W
工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
系列: 600-650V IGBTs
封装: Tube
商标: STMicroelectronics
集电极连续电流 Ic: 35 A
高度: 9.15 mm
长度: 10.4 mm
工厂包装数量: 1000
技术: Si
宽度: 4.6 mm
单位重量: 6 g