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中杰盛科技有限公司
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询价相关产品
产品信息
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SO-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 6.9 A
Rds On-漏源导通电阻: 26 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 61 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Tube
高度: 1.75 mm
长度: 4.9 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: Smps MOSFET
宽度: 3.9 mm
商标: Infineon / IR
下降时间: 11 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 20 ns
工厂包装数量: 3800
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 29 ns
典型接通延迟时间: 24 ns
零件号别名: SP001572110
单位重量: 540 mg
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SO-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 6.9 A
Rds On-漏源导通电阻: 26 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 61 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Tube
高度: 1.75 mm
长度: 4.9 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: Smps MOSFET
宽度: 3.9 mm
商标: Infineon / IR
下降时间: 11 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 20 ns
工厂包装数量: 3800
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 29 ns
典型接通延迟时间: 24 ns
零件号别名: SP001572110
单位重量: 540 mg