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中杰盛科技有限公司
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询价相关产品
产品信息
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 80 A
Rds On-漏源导通电阻: 8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 56 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 150 W
配置: Single
商标名: STripFET
封装: Tube
产品: Power MOSFET
系列: STP100N10F7
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: STMicroelectronics
下降时间: 16 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 40 ns
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 46 ns
典型接通延迟时间: 27 ns
单位重量: 330 mg
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 80 A
Rds On-漏源导通电阻: 8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 56 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 150 W
配置: Single
商标名: STripFET
封装: Tube
产品: Power MOSFET
系列: STP100N10F7
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: STMicroelectronics
下降时间: 16 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 40 ns
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 46 ns
典型接通延迟时间: 27 ns
单位重量: 330 mg