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产品信息
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: PLUS-264-3
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 300 V
Id-连续漏极电流: 170 A
Rds On-漏源导通电阻: 18 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 4.5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 258 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.25 kW
通道模式: Enhancement
商标名: Polar, HiPerFET
封装: Tube
高度: 26.59 mm
长度: 20.29 mm
系列: IXFB170N30
类型: Polar Power MOSFET HiPerFET
宽度: 5.31 mm
商标: IXYS
正向跨导 - 值: 57 S
下降时间: 16 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 29 ns
工厂包装数量: 25
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 79 ns
典型接通延迟时间: 41 ns
单位重量: 1.600 g